2023-11-08 瀏覽量:2621
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,都是三個電極。單向可控硅有陰極(K)枝扭、陽極(A)绎蒙、控制極(G)脓擅。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成拣末。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連柴淘,其引出端稱T2極貌矿,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連叽粹,其引出端稱T2極览效,剩下則為控制極(G)。
1盼饼、單新砖、雙向可控硅的判別:先任測兩個極,若正豺啦、反測指針均不動(R×1擋)冒衍,可能是A、K或G肛劈、A極(對單向可控硅)也可能是T2自烛、T1或T2、G極(對雙向可控硅)影焙。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控硅血肯。且紅筆所接為K極襟笋,黑筆接的為G極,剩下即為A極途居。若正抵肌、反向測批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控硅袍镀。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測默蚌,其中必有一次阻值稍大,則稍大的一次紅筆接的為G極苇羡,黑筆所接為T1極绸吸,余下是T2極。
2设江、性能的差別:將旋鈕撥至R×1擋锦茁,對于1~6A單向可控硅,紅筆接K極叉存,黑筆同時(shí)接通G码俩、A極,在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極歼捏,指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐稿存,此時(shí)可控硅已被觸發(fā),且觸發(fā)電壓低(或觸發(fā)電流小)瞳秽。然后瞬時(shí)斷開A極再接通瓣履,指針應(yīng)退回∞位置率翅,則表明可控硅良好。
對于1~6A雙向可控硅网孕,紅筆接T1極蒿庙,黑筆同時(shí)接G、T2極慢筝,在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極砖蕾,指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐(視可控硅電流大小、廠家不同而異)贮秤。然后將兩筆對調(diào)廷共,重復(fù)上述步驟測一次,指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐巴俺,則表明可控硅良好诸鲸,且觸發(fā)電壓(或電流)小。
若保持接通A極或T2極時(shí)斷開G極诈猎,指針立即退回∞位置使驰,則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞∠可按圖2方法進(jìn)一步測量骄娶,對于單向可控硅,閉合開關(guān)K哩至,燈應(yīng)發(fā)亮躏嚎,斷開K燈仍不息滅,否則說明可控硅損壞菩貌。
對于雙向可控硅卢佣,閉合開關(guān)K,燈應(yīng)發(fā)亮箭阶,斷開K虚茶,燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接仇参,重復(fù)上述步驟媳危,均應(yīng)是同一結(jié)果,才說明是好的冈敛。否則說明該器件已損壞待笑。
逆變器IGBT模塊檢測:
將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔,測試IGBT模塊c1e1、c2e2之間以及柵極G與e1抓谴、e2之間正反向二極管特性,來判斷IGBT模塊是否完好暮蹂。
以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U押恢、V鼻发、W相的導(dǎo)線拆除,使用二極管測試檔茶窍,紅表筆接P(集電極c1),黑表筆依次測U辑奔、V扫帝、W,萬用表顯示數(shù)值為最大;將表筆反過來哲琼,黑表筆接P融乖,紅表筆測U、V怖冷、W闺焦,萬用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N(發(fā)射極e2)俺膊,黑表筆測U济七、V、W月幌,萬用表顯示數(shù)值為400左右;黑表筆接P碍讯,紅表筆測U、V扯躺、W捉兴,萬用表顯示數(shù)值為最大。各相之間的正反向特性應(yīng)相同缅帘,若出現(xiàn)差別說明IGBT模塊性能變差,應(yīng)予更換难衰。IGBT模塊損壞時(shí),只有擊穿短路情況出現(xiàn)钦无。
紅、黑兩表筆分別測柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性,萬用表兩次所測的數(shù)值都為最大盖袭,這時(shí)可判定IGBT模塊門極正常失暂。如果有數(shù)值顯示,則門極性能變差,此模塊應(yīng)更換鳄虱。當(dāng)正反向測試結(jié)果為零時(shí),說明所檢測的一相門極已被擊穿短路弟塞。門極損壞時(shí)電路板保護(hù)門極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞。
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